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等離子沉積 Plasma Deposition

經濟型 PECVD 沉積系統

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Depolab 200

性價比高

PECVD 等離子沉積機臺Depolab 200延續了帶有直接裝載裝置的平行板等離子源的設計。 

擴展性強

基于模塊化的設計,Depolab 200可以用增加更大的泵、低頻電源和附加氣路等方法升級。 

控制軟件 

控制軟件包括模擬用戶界面,參數窗口,工藝程序編輯器,數據記錄和用戶管理。 

 

Depolab 200是具有SENTECH平板電極設計優勢的PECVD機臺,可實現2至8寸晶圓及小樣品的標準工藝,并可通過升級滿足復雜工藝要求。 

Depolab 200在結構、可靠性和軟硬件靈活性上均有杰出的的設計。在此系統上研發出不同的工藝,例如高質量氧化硅和氮化硅膜工藝。Depolab 200由帶氣源箱的反應器、控制電路、計算機、初級泵和主接線箱組成。 

Depolab 200等離子沉積機臺適用于SiO2, SiNx, SiONx和a-Si薄膜的沉積,最高溫度為400°C。Depolab尤其適用于沉積刻蝕掩膜用介質膜、薄膜和介電膜的沉積。 

The Depolab 200可以通過用戶友好的SENTECH控制軟件界面進行遠程操作。

 

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